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电子元器件详细资料 » IC[28397] » STH250N55F3-6
型号:STH250N55F3-6类别:FET - 单制造商:STMicroelectronics
封装:TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片)描述:MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6
系列STripFET™
制造商STMicroelectronics
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)55V
电流_连续漏极(Id)0a025000C180A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C2.6 毫欧 @ 60A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs100nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds6800pF @ 25V
功率_最大300W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片)
供应商设备封装H²PAK
包装剪切带 (CT)

供应商

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深圳市中芯达智能科技有限公司欧阳0755-23993320
深圳思诺康科技有限公司李先生0755-83272843李先生/0755-83272821朱小姐
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STH250N55F3-6相关型号

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